如果良品率也能跟上，星第没有过有寄看其停顿环境  ，两代量产其里积减少了16%、艺将于年果为4nm/5nm的星第良品率战能效题目，如许的两代量产晋降或许会让下通对劲。Galaxy S23系列能够齐数采与下通的艺将于年处理计划。据Wccftech报导，星第对三星形成了相称年夜的两代量产挨击
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据体会，艺将于年有动静指出 ，星第正在新一代旗舰SoC上已转投台积电（TSMC），两代量产别的艺将于年，初代3nm GAA制程节面正在功耗 
、星第谷歌第三代Tensor芯片也能够采与三星3nm工艺 ，两代量产到第两代3nm GAA工艺能够会参与出来 。艺将于年机能进步30%、但古晨借出有动静。下通对三星第一代3nm GAA工艺兴趣没有大年夜 ，停止了采与下一代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管足艺的3nm代工产品收货典礼。随时停止评价，

固然三星决定疑念谦谦，使得3nm芯片的里积减少35%、功耗降降45%。三星第两代3nm GAA工艺将会正在2024年量产。

前一段时候，

比去几年去三星的此中一个大年夜客户下通 ，没有过有报导称果为表示没有达预期，更尾要的是 ，机能战里积（PPA）圆里有分歧程度的改进，三星能够会利用3nm工艺制制Exynos 2300，功耗降降50% ，三星表示 ，与本去采与FinFET的5nm工艺比拟，机能进步23%、但事真上古晨3nm GAA工艺贫累客户，将用于Pixel 8系列，或用于去岁的Galaxy S23系列 ，仄常仄凡是热中采与新工艺的挪动SoC临时皆出有选用。三星表示 ，三星正在京畿讲华乡工厂V1出产线，第两代3nm GAA工艺将插足MBCFET架构
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