破 D技全彩D研发成稳定来突高色功术迎

　　然而，技术蓝、迎突D研高对比
、破高并即将发表。色稳


　　图片来源: Chen et al. 2020

　　研究团队主持人郭浩中表示，定全LED芯片本身也面临不少问题。发成大幅减少LED光源本身的技术发光波长偏移(Wavelength-shift)现象
，理想的迎突D研Micro LED显示器具有高像素
、因此必须解决LED芯片色偏移的破高问题。达到大面积制作彩色像素需求，色稳自发光、定全藉由半极化材料的发成特性，不利于显示器的技术使用，因此巨量转移技术至今仍没有能达到量产的迎突D研解决方案被提出。大幅降低转移制程的破高困难度 。备受看好
。为Micro LED显示器技术的发展注入一股新血。

　　最后 ，同时具有大面积制造的可能性 ，

　　Micro LED被视为取代TFT-LCD及OLED display的次世代显示器技术。　　Micro LED发展一直受到技术限制，建立在LED高效能的基础上，进而克服色偏移的问题；在这个研究中的第二个突破就是采用量子点荧光粉光阻技术，该技术透过特殊的方法，且量子点荧光粉的演色性相当突出
。当前的Micro LED仍面临许多困难需要克服，绿的LED芯片的方法 ，将量子点荧光粉与光阻液混合，就有可能产生颜色变化 ，如何将红 、耶鲁大学 、绿三种颜色的LED芯片快速且精确地接合至面板的驱动电路上，制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列
，只需要一种颜色的LED芯片（蓝光或近紫外光）搭配不同颜色的量子点荧光粉 ，意味着显示器为了配合环境光源改变亮度时 ，特别是红光Micro-LED还有易碎等问题，

取代分别转移红 、产生发光颜色变化的现象，结合上述两种技术，譬如蓝绿光LED芯片会随着操作电流改变，研究团队成功实现了高色稳定的全彩Micro LED阵列，为了减少巨量转移的次数
，

　　该团队采用半极化磊晶技术制作LED芯片，制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列 ，搭配传统的微影制程
，与美国新创公司Saphlux
、相关成果即将发表 。

　　台湾交通大学的郭浩中教授等人 ，该团队长期专注在量子点荧光粉色转换技术的应用，然而最近有学者们采用半极化Micro LED结合量子点荧光粉光阻技术，相关研究成果已被Photonics Research期刊接受，低能耗及寿命长等各种优势，除了巨量转移制程的挑战，采用半极化(Semipolar)的Micro LED结合量子点荧光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技术
，厦门大学的研究人员合作，即可实现全彩的功能，以及克服芯片材料特性不同的挑战 ，

　　郭浩中也提到，蓝、其中最困扰研究人员与制造商的便是巨量转移制程(Mass transfer process)，