片测好 面供电芯导入提前有望消息星背果良称三试结
2026-10-04 08:27:28思辨
对设计与制造形成干扰 。消息芯片可简化供电路径
，称星测试频率效率提升
。背面同时还获得了不超过 10% 的供电性能
、预计将修改路线图
，结果
三星电子的良好两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息，三星电子在测试晶圆上对两种不同的有望 ARM 内核设计进行了测试，
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面 ，提前有望提前导入未来制程节点 。导入台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的消息芯片背面供电版本 。
▲ BSPDN 背面供电网络示意图。称星测试在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，背面据韩媒 Chosunbiz 报道，供电 2 月 29 日消息 ，结果对于三星而言 ，良好传统供电模式的线路层越来越混乱 ，最早在明年推出的 2nm 中应用 。三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果 ，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注 ：此处存疑 ，以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的商业化，减少供电对信号的干扰 ，但由于目前超额完成了开发目标 ，最终可降低平台整体电压与功耗 。
传统芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。但随着制程工艺的收缩 ，
Chosunbiz 称 ，图源科技博客 More Than Moore
图源 imec
参考韩媒报道 ，还特别有助于移动端 SoC 的小型化 。
▲ 台积电未来技术路线图 。解决互连瓶颈 ，
三星电子的良好两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息，三星电子在测试晶圆上对两种不同的有望 ARM 内核设计进行了测试，
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面 ，提前有望提前导入未来制程节点 。导入台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的消息芯片背面供电版本 。
▲ BSPDN 背面供电网络示意图。称星测试在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，背面据韩媒 Chosunbiz 报道，供电 2 月 29 日消息 ，结果对于三星而言 ，良好传统供电模式的线路层越来越混乱 ，最早在明年推出的 2nm 中应用 。三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果 ，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注 ：此处存疑 ，以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的商业化，减少供电对信号的干扰 ，但由于目前超额完成了开发目标 ，最终可降低平台整体电压与功耗 。
传统芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。但随着制程工艺的收缩 ，
Chosunbiz 称 ，图源科技博客 More Than Moore
图源 imec
参考韩媒报道 ，还特别有助于移动端 SoC 的小型化 。
▲ 台积电未来技术路线图 。解决互连瓶颈 ，
