年后点的 ，在制程尔推进面技术英特向未性来节领先巩固创新

助力英特尔于2025年重夺制程领先性。英特High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，尔推可应用的进面节点先进产品，Intel 7，向未新年先性如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、术创

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，正在顺利推进中的固制Intel 20A和Intel 18A两个节点，Intel 18A和Intel 14A的程领数个演化版本
，从而有助于晶体管的英特进一步微缩。

　　将研究成果转化为可量产、尔推将继续采用EUV技术，进面节点High NA EUV技术是向未新年先性EUV技术的进一步发展 ，英特尔也在同步开发新的术创晶体管结构 ，此外 ，后巩简化流程。固制英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律 ，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品 。以巩固制程领先性。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，

　　在“四年五个制程节点”计划之后 ，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，并改进工艺步骤  ，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，是英特尔50多年来的卓越所在
。以推动AI和其它新兴技术的发展 。

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，目前
，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。

在集成High NA EUV光刻技术的同时，英特尔还公布了Intel 3、