年后点的，在制程尔推进面技术英特向未性来节领先巩固创新

此外  ，英特助力英特尔于2025年重夺制程领先性 。尔推从而有助于晶体管的进面节点进一步微缩
。可应用的向未新年先性先进产品，目前 
，术创简化流程。后巩Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。固制Intel 18A和Intel 14A的程领数个演化版本 ，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、英特

尔推

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的进面节点目标 ，

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，

　　将研究成果转化为可量产
、术创并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，后巩

　　作为Intel 18A之后的固制下一个先进制程节点，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。英特尔还公布了Intel 3、英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，以推动AI和其它新兴技术的发展。采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率 ，是英特尔50多年来的卓越所在 。将继续采用EUV技术 ，并改进工艺步骤，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律 ，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点，在集成High NA EUV光刻技术的同时，通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展，Intel 7 ，以巩固制程领先性。英特尔也在同步开发新的晶体管结构，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。

　　在“四年五个制程节点”计划之后，